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                成都國(guó)泰真空設(shè)備有限公司
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                GTRF-17/23/26/30射頻離子源
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                主要用于精密光學(xué)鍍膜,它具有能量高、能量分布均勻性好、工作時(shí)間長(zhǎng)、污染小等優(yōu)點(diǎn),在鍍膜領(lǐng)域的主要應(yīng)用是離子束輔助沉積和離子束清洗等。
                產(chǎn)品詳情

                  設(shè)備簡(jiǎn)介:

                  國(guó)泰真空全自主研發(fā)設(shè)計(jì)制造的GTRF-17和GTRF-23射頻離子源主要用于精密光學(xué)鍍膜,它具有能量高、能量分布均勻性好、工作時(shí)間長(zhǎng)、污染小等優(yōu)點(diǎn),在鍍膜領(lǐng)域的主要應(yīng)用是離子束輔助沉積和離子束清洗等。

                  設(shè)備主要規(guī)格參數(shù):

                型號(hào)GTRF-17GTRF-23(26)GTRF-30

                柵網(wǎng)直徑(mm

                170230(260)300

                BEAM電流(mA

                150015003000

                BEAM電壓(V 

                150015002000

                ACC電壓(V

                100010001000

                中和比E/B%

                100-200100-200100-200

                連續(xù)使用時(shí)間(h

                500

                500≥500

                推薦使用機(jī)型

                1150-1350

                1550-18002050-2700

                  操作主界面:

                  工藝應(yīng)用:

                  IR-CUT曲線實(shí)測(cè):

                  環(huán)境測(cè)試:

                  水煮15分鐘后,曲線無(wú)漂移

                  水煮后經(jīng)3M膠帶白格測(cè)試未發(fā)現(xiàn)脫膜

                  運(yùn)行狀態(tài):

                  射頻離子源通過(guò)改進(jìn)能量和電流的均勻性,提高了膜層的堆積密度和材料的氧化度,從而抑制膜層的溫度漂移及波長(zhǎng)漂移!同時(shí)解決了膜層牢固度和膜料折射率等問(wèn)題。


                GTRF-17/23/26/30射頻離子源

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                主要用于精密光學(xué)鍍膜,它具有能量高、能量分布均勻性好、工作時(shí)間長(zhǎng)、污染小等優(yōu)點(diǎn),在鍍膜領(lǐng)域的主要應(yīng)用是離子束輔助沉積和離子束清洗等。
                400-6667-357
                產(chǎn)品詳情

                  設(shè)備簡(jiǎn)介:

                  國(guó)泰真空全自主研發(fā)設(shè)計(jì)制造的GTRF-17和GTRF-23射頻離子源主要用于精密光學(xué)鍍膜,它具有能量高、能量分布均勻性好、工作時(shí)間長(zhǎng)、污染小等優(yōu)點(diǎn),在鍍膜領(lǐng)域的主要應(yīng)用是離子束輔助沉積和離子束清洗等。

                  設(shè)備主要規(guī)格參數(shù):

                型號(hào)GTRF-17GTRF-23(26)GTRF-30

                柵網(wǎng)直徑(mm

                170230(260)300

                BEAM電流(mA

                150015003000

                BEAM電壓(V 

                150015002000

                ACC電壓(V

                100010001000

                中和比E/B%

                100-200100-200100-200

                連續(xù)使用時(shí)間(h

                500

                500≥500

                推薦使用機(jī)型

                1150-1350

                1550-18002050-2700

                  操作主界面:

                  工藝應(yīng)用:

                  IR-CUT曲線實(shí)測(cè):

                  環(huán)境測(cè)試:

                  水煮15分鐘后,曲線無(wú)漂移

                  水煮后經(jīng)3M膠帶白格測(cè)試未發(fā)現(xiàn)脫膜

                  運(yùn)行狀態(tài):

                  射頻離子源通過(guò)改進(jìn)能量和電流的均勻性,提高了膜層的堆積密度和材料的氧化度,從而抑制膜層的溫度漂移及波長(zhǎng)漂移!同時(shí)解決了膜層牢固度和膜料折射率等問(wèn)題。


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