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設(shè)備簡(jiǎn)介:
國(guó)泰真空全自主研發(fā)設(shè)計(jì)制造的GTRF-17和GTRF-23射頻離子源主要用于精密光學(xué)鍍膜,它具有能量高、能量分布均勻性好、工作時(shí)間長(zhǎng)、污染小等優(yōu)點(diǎn),在鍍膜領(lǐng)域的主要應(yīng)用是離子束輔助沉積和離子束清洗等。
設(shè)備主要規(guī)格參數(shù):
| 型號(hào) | GTRF-17 | GTRF-23(26) | GTRF-30 |
![]() | ![]() | ![]() | |
柵網(wǎng)直徑(mm) | 170 | 230(260) | 300 |
BEAM電流(mA) | 1500 | 1500 | 3000 |
BEAM電壓(V) | 1500 | 1500 | 2000 |
ACC電壓(V) | 1000 | 1000 | 1000 |
中和比E/B(%) | 100-200 | 100-200 | 100-200 |
連續(xù)使用時(shí)間(h) | ≥500 | ≥500 | ≥500 |
推薦使用機(jī)型 | 1150-1350 | 1550-1800 | 2050-2700 |
操作主界面:

工藝應(yīng)用:
IR-CUT曲線實(shí)測(cè):

環(huán)境測(cè)試:

水煮15分鐘后,曲線無(wú)漂移
水煮后經(jīng)3M膠帶白格測(cè)試未發(fā)現(xiàn)脫膜
運(yùn)行狀態(tài):

射頻離子源通過(guò)改進(jìn)能量和電流的均勻性,提高了膜層的堆積密度和材料的氧化度,從而抑制膜層的溫度漂移及波長(zhǎng)漂移!同時(shí)解決了膜層牢固度和膜料折射率等問(wèn)題。
設(shè)備簡(jiǎn)介:
國(guó)泰真空全自主研發(fā)設(shè)計(jì)制造的GTRF-17和GTRF-23射頻離子源主要用于精密光學(xué)鍍膜,它具有能量高、能量分布均勻性好、工作時(shí)間長(zhǎng)、污染小等優(yōu)點(diǎn),在鍍膜領(lǐng)域的主要應(yīng)用是離子束輔助沉積和離子束清洗等。
設(shè)備主要規(guī)格參數(shù):
| 型號(hào) | GTRF-17 | GTRF-23(26) | GTRF-30 |
![]() | ![]() | ![]() | |
柵網(wǎng)直徑(mm) | 170 | 230(260) | 300 |
BEAM電流(mA) | 1500 | 1500 | 3000 |
BEAM電壓(V) | 1500 | 1500 | 2000 |
ACC電壓(V) | 1000 | 1000 | 1000 |
中和比E/B(%) | 100-200 | 100-200 | 100-200 |
連續(xù)使用時(shí)間(h) | ≥500 | ≥500 | ≥500 |
推薦使用機(jī)型 | 1150-1350 | 1550-1800 | 2050-2700 |
操作主界面:

工藝應(yīng)用:
IR-CUT曲線實(shí)測(cè):

環(huán)境測(cè)試:

水煮15分鐘后,曲線無(wú)漂移
水煮后經(jīng)3M膠帶白格測(cè)試未發(fā)現(xiàn)脫膜
運(yùn)行狀態(tài):

射頻離子源通過(guò)改進(jìn)能量和電流的均勻性,提高了膜層的堆積密度和材料的氧化度,從而抑制膜層的溫度漂移及波長(zhǎng)漂移!同時(shí)解決了膜層牢固度和膜料折射率等問(wèn)題。
